APPLICATION FIELD 応用分野
化合物半導體
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半導體材料可分爲單質半導體及化合物半導體兩類，前者如矽（Si）、鍺(Ge）等所形成 的半導體，後者爲砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化矽（SiC）等化合物形成。半導 體在過去(qù)主要經曆了三代變化。砷化镓（GaAs）、 氮化镓（GaN）和碳化矽（SiC）半導體分别作爲第二代和第三代半導體的代表，相(xiàng)比第一代半導體高頻(pín)性能、高溫性能優 異很多，制造成本也更爲高昂。
化合物ウェーハ用
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半導體材料には、元素半導體と化合物半導體の2種類があり、前者はSiやGeなどの半導體で形成され、後者はGaAs、GaN、SiCなどの化合物で形成されます。 半導體は3世代にわたって変化を遂げてきました。 GaAs、GaNおよびSiC半導體は、それぞれ第2世代および第3世代の半導體の代表として、第1世代の半導體よりもはるかに優れた高周波性能と高溫性能を備えており、製造コストも高くなっています。
化合物半導體用研磨パッド
化合物半導體抛光液
化合物半導體用研磨液
